压力排泄是一个阴险的IC失效机理,很难识别和逮捕。特别关注的是那些制造和测试集成电路与铝合金互联或评估遗留设备的可靠性与使用寿命长。这篇文章解释了孔隙压力形成和成长和如何确定问题的根源收集物证和排除其他失败的机制。区分的关键压力排泄与其他类型的失败是认识到三个不同的物理现象的结果,压力、成核、和扩散,所有这些都试图使过程之前必须确认修正。

铝层的缺陷,集成电路互联,根源分析,压力排泄
这些内容只是作为一个PDF。
版权©ASM国际®199beplay体育官网地址9
1999年
beplay体育官网地址
主题
金属化 根本原因分析 铝 空洞成核
您目前没有访问这些内容。