65纳米技术的引入,横截面尺寸的铜互连层现在小于100纳米,这意味着电流密度的几个马/平方厘米。电迁移作为芯片失效的根本原因是这样一个主要的担忧和仍在接受调查。在这篇文章中,作者展示了最近失效分析研究金属包覆铜互联,使用OBIRCH技术结合FIB浆纱切片和扫描电镜和透射电镜成像。

钴合金涂层,铜互连,缺陷定位,电迁移,OBIRCH分析
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2008年
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主题
钴合金 显微镜 半导体晶圆 金属电化学迁移
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