半导体器件上薄膜失效分析中的选择性介电去除

薄膜异常会导致许多设备故障，但通常很难看到。在这篇文章中，作者解释了他们是如何在特定批次的大多数ASIC模块中发现并识别了导致引脚短路的8到10纳米钽薄膜的。最初延迟某些失败模块的尝试导致了故障信号的丢失。然后决定使用聚焦离子束选择性地磨穿层间电介质。在铣削过程中，二次电子图像显示了功率晶体管手指之间的异常物质，随后被确定为钽。正如作者解释的那样，当蚀刻过程中材料没有被正确去除时，这种缺陷在大马士革工艺中很常见。