本文提出了一种nanoprobing方法,利用高速脉冲特征在SRAM细胞。作者描述了测试系统的基本设置和证明其使用six-transistor细胞失败。方法减少了故障定位时间和减少的可能性deprocessing过去的失败,因为测试是在金属化层1。位的反应的形式捕获模拟电流测量,导致失败的一个独特的签名。

故障隔离,高速脉冲测试,nanoprobing,SRAM一些细胞
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2009年
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半导体晶圆 电气测试
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