Thermally-induced电压改变(TIVA)是一种基于激光的本地化互连ICs缺陷的方法。它的主要限制是激光必须加热缺陷和变更其阻力足以产生一个可测量的电压变化。任何干扰激光吸收或改变缺陷加热会减少TIVA效果。本文的研究结果TIVA当地结构成像的影响。作者选择polysilicon-metal测试结构作为研究的焦点,它需要随着建模与仿真试验研究。发现TIVA配置文件在这个深受当地的几何结构,特别是层间的变异二氧化硅的厚度和位置多晶硅线对铝线。理解这种关系对定位缺陷使用TIVA技术至关重要。

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