离轴全息术是一种为电子成像技术,揭示掺杂剂异常,在半导体器件连接配置文件。本文解释方法是如何工作的,以及它是如何被用来可视化晶体管source-drain地区,diffusion-related缺陷,和其他特性的兴趣TEM样品。它还讨论了相关的挑战和比较离轴电子全息术与其他分析技术,特别是结染色。

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