对于III-V型化合物半导体和某些互连金属来说，FIB铣削是困难的(如果不是不可能的话)，因为这些材料与大多数FIB系统中使用的镓反应不好。本文讨论了该问题的性质，并解释了低温FIB-SEM技术如何提供解决方案。它描述了FIB-SEM系统的基本设置，并提供了其在InN纳米晶体、GaN薄膜和含铜多层光伏材料上的应用实例。

化合物半导体，铜化合物，低温FIB-SEM，FIB铣，样品制备
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样品制备 扫描电子显微镜 铣 半导体晶圆制造
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