在当今的三维集成电路(IC)设计中,不断缩小的几何形状迫切需要各种工具来隔离先进半导体器件上的故障。目前还没有一种技术能够在所需的快速循环时间内充分解决所有类型的故障。快速的全局方法无法解决的复杂故障最好通过探测技术解决,探测技术在节点之间测量波形或电压。这些方法是耗时的,通常需要详细了解电路的操作。映射缺陷的次要影响的全局技术已经被广泛地用于尽可能多的故障。这些次要效应包括热发射、光子发射和依赖于局部加热或缺陷部位载流子产生的电路操作。每种技术都解决了故障机制的某些部分,但没有一种技术本身是普遍有效的。由于较低的电源电压问题,热发射技术的使用已经减弱,这导致旧技术的灵敏度较差,并且最小可分辨特征尺寸减小。

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