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技术文章
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2017年11月1日
利用扫描微波阻抗显微镜(sMIM)对硅和GaN结构电性能进行高级表征的纳米级电容和电容-电压曲线
EDFA技术条款(2017) 19(4): 12-20。
引用
奥斯卡·阿姆斯特,斯图尔特·弗里德曼,杨永亮,弗雷德·斯坦克;利用扫描微波阻抗显微镜(sMIM)对硅和GaN结构的电性能进行高级表征的纳米级电容和电容-电压曲线。EDFA技术条款2017年11月1日;19(4): 12-20。doi:https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2017-4.p012
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