用可见光和1064 nm激光测量TIVA

激光刺激被广泛应用于通过加热效应或光子效应来揭示集成电路中的缺陷。标准的方法是使用具有波长的激光以上硅的带隙波长产生局部加热和下面它能产生光电流。在实践中，大多数fa使用1340 nm (IR)激光进行TIVA测量，532 nm(可见)或1064 nm(近IR)激光进行LIVA分析。然而，正如本文所演示的，可见和近红外激光器也可以用于TIVA分析，在某些情况下，基于信号强度和空间分辨率，可能是更可取的。