用TEM表征VLSI的最新进展

在过去的二十年里，透射电子显微镜已经以各种方式得到了改进，从而产生了新的表征技术。本文讨论的创新包括场发射枪的引入，CCD相机和x射线探测器的结合，以及透镜校正系统的使用。通过新的TEM技术的出现，这些改进对失效分析产生了重大影响，包括用于晶粒和应变分析的进动电子衍射，用于超低k材料的低剂量EELS测绘的降噪处理，以及用于纳米尺度上缺陷元素3D成像的EDX断层扫描。