涉及14纳米SRAM技术的三个案例研究表明，渐进FIB横切面和自上而下的分析可以与纳米探测和TEM断层扫描相补充，以确定故障的根本原因。在第一种情况下，内存故障可以追溯到异常的门配置文件。在第二种情况下，故障是由于金属线短，而在第三种情况下，是栅极缺陷。

FIB浆纱切片，nanoprobing，SRAM的失败，TEM断层扫描
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样品制备 透射电子显微镜 聚焦离子束层析成像 半导体晶圆制造
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