为便携式设备设计的集成电路通常使用反向体偏置(RBB)模式来限制漏电流。RBB支持电路的复杂性在IC表征和调试过程中提出了挑战。本文讨论了该问题的性质，并解释了如何使用简单修改的标准调试工具识别在体偏条件下运行的电路中的不规则情况。它描述了在实际检查中发现的一些bug，并解释了如何通过分析I-V曲线痕迹和红外发射显微镜(IREM)图像来诊断它们。

IC表征与调试，红外发射显微术，泄漏电流，非本征基极电阻模式
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半导体晶圆制造
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