弱打开联系人是常见的在DRAM单元数组作为细胞之间的电阻电容和wordline晶体管。本文讨论了弱的角色在DRAM打开联系人失败,影响他们的因素影响读和写操作,和所涉及的复杂性评估潜在的问题。

关键阻力,DRAM单元,横向门效应,单细胞的失败,阈值电压,弱打开联系人
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2005年
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半导体晶圆
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