透射电子显微镜(TEM)在半导体工艺开发、缺陷识别、良率提高和根本原因分析等方面发挥着重要作用。然而,与此同时,样品制备和成像的某些伪影对TEM技术的线性缩放存在障碍。本文评估了这些挑战,并解释了如何使用电子断层扫描来克服它们。

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