新优惠腐蚀(100)和(111)为导向,p, n型硅了。本文描述的基本化学蚀刻过程和提供的例子如何定义关键特性,比如oxidation-induced堆积层错,混乱,漩涡,条纹与最低表面粗糙度和点蚀。腐蚀速率相对较慢约1μm / min在室温下提供腐蚀好控制和一个很长的保质期可以存储大量的解决方案。

晶体缺陷,优先腐蚀,硅
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1999年
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主题
晶体缺陷 半导体蚀刻 硅
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