杰森奔驰,威廉·本特利,约瑟夫·迈尔斯;失效分析的选择性介质去除薄膜半导体器件。摘要技术文章2009年5月1日;11 (2):。doi:https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2009 - 2. p023
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薄膜设备异常导致许多失败,但他们往往很难看到。在这篇文章中,作者解释他们如何发现并确认一个8到10纳米钽薄膜导致销短裤在大多数ASIC模块从特定很多。最初试图延迟器的一些模块失败导致的损失故障信号。然后决定用聚焦离子束通过层间电介质选择性磨。在铣削过程中,二次电子图像显示异常材料之间的功率晶体管的手指,随后被确认为钽。等缺陷,作者解释,在波纹的过程是常见的材料不正确在腐蚀过程中被除去。
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