本文提出了一种利用高速脉冲表征芯片内SRAM位单元的纳米探测方法。作者描述了测试系统的基本设置，并演示了其在六晶体管位单元故障中的应用。由于测试是在金属化层1进行的，该方法减少了故障定位时间，减少了故障后去处理的可能性。钻头的反应以模拟电流测量的形式被捕获，从而产生独特的故障信号。

故障隔离，高速脉冲试验，nanoprobing，SRAM位单元
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半导体晶圆制造 电气测试
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