利用热模拟和仿真了解局部结构对TIVA剖面的影响

热致电压变化(TIVA)是一种基于激光的集成电路互连缺陷定位方法。它的主要限制是激光必须加热缺陷并充分改变其电阻以产生可测量的电压变化。任何干扰激光吸收或改变缺陷加热的因素都会降低TIVA的效果。本文介绍了局部结构对TIVA成像影响的研究结果。作者选择了一个多晶硅金属测试结构作为他们研究的重点，这需要实验研究以及建模和仿真。研究发现，该结构上的TIVA轮廓受到局部几何形状的强烈影响，特别是层间二氧化硅厚度的变化和多晶硅线相对于铝线的位置。理解这种关系对于使用TIVA技术定位缺陷是必不可少的。