扫描电容显微镜(SCM)已被证明是研究集成电路中兴奋剂相关失效机制的有效工具。本文中的示例展示了作者如何使用单片机解决各种问题，包括由于模式失调引起的过早击穿，由多栅极掺杂异常引起的阈值电压变化以及由于沟道效应引起的源漏漏。

通灵，掺杂分布，模式的缺陷，扫描电容显微镜，source-drain泄漏
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半导体晶圆制造
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