尼古拉斯·安东尼奥由于;使用低温FIB-SEM电子材料的失效分析。摘要技术文章1 2013年8月;15 (3):19。doi:https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2013 - 3. p012
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FIB铣是困难的,如果不是不可能与III-V化合物半导体和某些互连金属因为材料不反应与镓在大多数FIB系统使用。本文讨论了问题的性质和解释了低温FIB-SEM技术提供一个解决方案。它描述了FIB-SEM系统的基本设置,并提供其使用的例子在客栈纳米晶体,氮化镓薄膜和铜的多层光伏材料。
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