当今三维集成电路(IC)设计中的几何尺寸不断缩小,迫切需要各种工具来隔离先进半导体器件的故障。目前还没有一种技术能够在所需的快速周期内充分解决所有类型的故障。快速全局方法无法解决的复杂故障最好通过探测技术来解决,其中从节点到节点测量波形或电压。这些方法都很耗时,通常需要对电路操作有详细的了解。映射缺陷的次要影响的全局技术已被广泛用于尽可能多的故障。这些次要效应包括热发射、光子发射和电路操作依赖于局部加热或缺陷部位的载流子产生。每种技术都解决了故障机制的某些部分,但没有一种技术本身是普遍有效的。由于电源电压较低的问题,热发射技术的使用已经减少,这导致旧技术的灵敏度较差,并且最小分辨率特征尺寸减小。

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