轻掺杂source-drain扩散是很难描绘用湿化学腐蚀,但有一些过程修改和使用边缘做空,一个20:1 HNO3/ HF腐蚀5 s在室温下可以揭示任何结互补金属氧化物半导体元件配置文件。相对简单的过程中掌握FA技术的这一期中,其中还包括一系列的图像显示的方法是如何工作的。

连接描述,轻掺杂N-wells,湿化学腐蚀
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2015年
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半导体晶圆
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