本文综述最近的工作旨在描述软件出错影响SRAM电路用散装FinFETs硅制作的。加速试验6 t进行平面和FinFET-based SRAM细胞暴露他们高能中子和α粒子。根据测试结果和模拟,作者表明,在FinFET设备软件出错率要低得多,因为鳍的几何限制电荷收集。

FinFETs,平面晶体管,辐射诱导软错误,软件出错的易感性,静态存储器
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2016年
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半导体晶圆 测试方法评估
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