安东尼·s·奥茨,Yi-Pin方;软件出错的易感性FinFET sram。摘要技术文章2016年5月1日;18 (2):16-27。doi:https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2016 - 2. p016
下载引用文件:
本文综述最近的工作旨在描述软件出错影响SRAM电路用散装FinFETs硅制作的。加速试验6 t进行平面和FinFET-based SRAM细胞暴露他们高能中子和α粒子。根据测试结果和模拟,作者表明,在FinFET设备软件出错率要低得多,因为鳍的几何限制电荷收集。
登录或创建一个帐户