本文解释了氧化物陷阱和移动离子可以导致ICs时机和功能故障并提供见解和建议如何识别和处理潜在的问题。

门泄漏,逆温层,移动离子,氧化物陷阱,阈值电压
这些内容只是作为一个PDF。
版权©ASM国际®201beplay体育官网地址7
2017年
beplay体育官网地址
主题
半导体晶圆
您目前没有访问这些内容。