最近两种相对较新的故障分析技术的发展，塞贝克效应成像(SEI)和热致电压变化(TIVA)，极大地提高了它们的缺陷检测灵敏度和图像采集时间，以定位开放和短路互连。本文给出了几个示例，演示了这两种方法的增强功能。

背后的分析，电气故障定位，图像采集时间，塞贝克效应成像，热诱发电压变化
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半导体晶圆制造
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