0.7微米技术:晶圆级失效分析案例研究

IDDQ测试通常是隔离密集集成电路中状态相关缺陷的关键。然而，在这里提出的案例研究中，功能失败的ic并没有通过静态IDDQ测试，也没有在实验室工作台上偏置到静态状态时产生显着电流。经过广泛的测试和分析，包括ATE IDDQ扫描，ATE界面光发射显微镜，FIB辅助机械微探针和扫描电容显微镜，发现该缺陷是由晶圆制造过程中使用的污染溶剂罐引起的n活性区域的p型反掺杂。