本文介绍了一种新技术在GaN HEMTs测量温度。该方法是基于拉曼光谱和氧化铈粒子像台的使用温度计与紫外激光扫描时。这篇文章解释说,由于拉曼散射声子线变化是用来估计氮化镓层的温度虽然表面温度是通过氧化铈粒子。给出的结果还验证粒子,它们分布在半导体和金属表面,不要修改的电气特征GaN设备。

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2019年
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半导体晶圆 温度 测试方法评估 拉曼光谱
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