同时修改托尔伯特x射线干涉测量提供了三个对比模式:吸收阶段,和暗场/散射。本文描述了强大的新成像技术并展示如何使用它来描述各种类型的缺陷在先进半导体包。

先进的包,暗场成像,缺陷描述,相衬成像,x射线干涉法
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2020年
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主题
电子封装 相衬显微术 x射线microtomography 半导体晶圆
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