三个案例研究涉及14 nm SRAM技术如何进步FIB浆纱切片和自上而下的分析可以补充nanoprobing和TEM断层扫描来确定失败的根源。在第一种情况下,内存失败是追溯到异常门概要文件。在第二种情况下,失败是由于金属线短,在第三个案例中,一个门缺陷。

FIB浆纱切片,nanoprobing,SRAM的失败,TEM断层扫描
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2020年
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主题
样品制备 透射电子显微镜法 聚焦离子束断层扫描 半导体晶圆
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