3个涉及14纳米SRAM技术的案例研究表明，通过逐级FIB横断面和自上而下的分析，可以补充纳米探测和TEM断层扫描，以确定故障的根本原因。在第一种情况下，内存故障被追踪到一个异常的门配置文件。在第二种情况下，故障归因于金属线短，在第三种情况下，栅缺陷。

FIB浆纱切片，nanoprobing，SRAM的失败，TEM断层扫描
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样品制备 透射电子显微镜 聚焦离子束断层扫描 半导体晶圆制造
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