Abhijeet Joshi Bulent m . Basol;DHEM:欧姆接触和高机动工程和表征ICs频道。摘要技术文章2020年11月1日;22(4):10到16。doi:https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020 - 4. p010
下载引用文件:
微分霍尔效应测量深度(DHEM)提供了概要文件的所有关键的电气参数通过半导体层在纳米级深度分辨率。本文描述了相对较新的方法并展示如何使用它来衡量流动性和载体浓度资料在不同的材料和结构。
登录或创建一个帐户