Nagaraj Lakshmana您正在,纳Raghavan;计算失效分析电阻RAM作为突触的卷积神经网络的图像分类。摘要技术文章2021年2月1日;23 (1):29-33。doi:https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021 - 1. p029
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各种神经形态NVM技术进行系统实现,包括电阻RAM、铁电RAM,相变内存,自旋转移力矩RAM, NAND闪存。本文讨论的潜力RRAM对于这类应用程序的测试和评估关键性能和可靠性指标在神经网络的背景下图像分类。作者得出的结论是,accuracy-power权衡可能进一步提高使用替代材料堆栈和多层电介质从而达到更好地控制氧空位或金属丝状形成过程的管理RRAM开关特性。
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