集成电路制造期间受到各种形式的摩擦和包装,由于电荷的积累创造了潜在的问题。本文考察摩擦电充电损坏绝缘体设备上的截然不同的特点在晶片和包级别。这种类型的损坏迹象包括空间依赖性,不同TIVA-signal模式和双峰静态电流分布与老化后的重大变化。

双向电流分布,电紧张过度,静电放电,TIVA,摩擦电充电损害
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2021年
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主题
半导体晶圆
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