样品制备是FinFET器件掺杂谱分析的关键步骤，特别是针对单个鳍片时。本文介绍了一种基于低能量、浅角离子铣削的样品制备技术，并展示了它如何最大限度地减少表面非晶化和改善扫描电容显微镜(SCM)信号，代表局部活性掺杂浓度。

掺杂剂分析，FinFETs，倒TEM样品，离子铣，扫描电容显微镜
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主题
样品制备 铣 扫描探针显微术 半导体晶圆制造
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