样品制备是FinFET器件掺杂分析的关键步骤，特别是针对单个鳍片时。本文描述了一种基于低能量、浅角度离子铣削的样品制备技术，并展示了它如何最大限度地减少表面非晶化并改善代表局部活性掺杂剂浓度的扫描电容显微镜(SCM)信号。

掺杂剂分析，FinFETs，倒立透射电镜样品，离子铣，扫描电容显微术
此内容仅以PDF格式提供。
版权所有©ASM Intbeplay体育官网地址ernational®2022
2022
beplay体育官网地址
主题
样品制备 铣 扫描探针显微术 半导体晶圆制造
您目前没有访问此内容的权限。