特定位置，SEM半导体样品制备0.5 μm精度

微劈裂和精密宽离子束技术的结合使失效分析人员能够制备0.5 μm精度的特定位置的SEM分析样品。正如文章所解释的那样，微劈裂利用了单晶半导体基板固有的劈裂特性。由于衬底的质量明显大于工艺层，它决定了样品的总体横截面质量和精度。该切割不损失材料，保持指定区域的完整性，并能够分析横截面的两侧。当切割因被埋目标而偏离，或当碎片位于横截面表面时，使用离子束蚀刻和涂层来微调切割位置，并在SEM分析之前去除碎片。