本文评估的功能失效分析技术在65纳米CMOS集成电路。电压的对比,它演示了使用OBIRCH塞贝克效应成像,扫描电镜和透射电镜技术,和浆纱切片FIB失败如介质击穿、开放和电阻通过,空洞,短裤,分层,栅氧化层缺陷。

CMOS集成电路,缺陷定位,故障隔离,FIB浆纱切片
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2006年
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主题
半导体晶圆 介质击穿 测试方法评估
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