掺杂剂的概要文件在亚微米硅设备通常使用扫描探针技术测量。SEM-based方法最近出现了,然而,这可能是一个更强大的工具来定量掺杂剂成像。本文讨论潜在对比二次电子成像的物理测量和评估其能力分析的基础上碳化硅功率晶体管、垂直腔面发射激光器和量子井设备。

掺杂剂分析,二次电子潜力对比成像,SiC晶体管,垂直腔表面发射激光器
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2007年
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半导体晶圆 扫描电子显微镜
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