摘要
晶体管和电阻器的纳米探测在设计调试和电气故障隔离方面越来越重要。因此，有必要了解用电子束扫描电阻或晶体管的影响，以便从纳米探针测量中得出有效的结论。在这篇文章中，作者表明，将样品暴露在能量高于4 keV的电子束下，可以使扩散电阻的值改变多达30%，并且在样品覆盖较少材料的区域，这种变化可以在更低的电压下发生。这篇文章还揭示了这些变化发生的原因。
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