本文给出了标定方法和评估,大大提高了光谱信息,可以从光子发射信号中提取获得半导体设备。分步指导给出校准光子发射显微镜等特定的测量设备参数和材料的带隙。本文还讨论了类型的校准过程中可能发生的错误。虽然过程提出了用于InGaAs传感器,它适用于所有常见的光子发射探测器。

本文讨论的设置和使用thermoreflectance成像,热映射技术在亚微米范围的空间分辨率和时间分辨率几十纳秒。它描述的基本物理thermoreflectance测量方法的优势和局限性。它还提供了示例展示thermoreflectance成像用于热特性、设计优化和可靠性分析大功率晶体管,通过静电放电装置,和铜。

本文讨论了暗电流光谱学的基本原理(DCS)测量技术,可以检测和识别低水平的金属污染物在CMOS图像传感器。一个例子给出了DCS是用来确定钨和金污染物的浓度在一个图像传感器和估计单个原子所产生的暗电流的金属。

本文演示了一个简单的和健壮的背后照明ICs的红外成像的方法。去除表面噪声的技术使用斜照明组件,同时提供具有亮照明下表面,只需要适度,如果任何衬底的背面的抛光。正如这篇文章中的例子所显示的,它可以用一个标准的实现与红外光学显微镜,收益率高对比度、高分辨率的图像,而不需要复杂的镜头,基于“增大化现实”技术的涂料,或复杂的扫描电子产品。

最近的改进在巨磁电阻传感器提高了磁场电流的可实现的空间分辨率成像包装设备上没有重大妥协磁场灵敏度。正面和背面目前成像的例子展示这些文明程度的新传感器失效分析的实用程序。

最近的工作与商业仪器基于鱿鱼传感器成像表明,磁场可以非常有效地隔离缺陷短裤在包和死亡。这种技术尤其有益埋在金属层的缺陷时,Si,或者封装材料。这些缺陷可以成像的粗定位没有任何deprocessing样本。鱿鱼传感器能产生弱电流图像即使在背景电流的存在五个数量级的强大。这种高灵敏度还支持有效与电流远低于热成像技术。