在这个案例研究中,作者描述了一个有缺陷的直流-直流转换器的调查从飞机检索报告后异常的系统行为。电气测试、本地探测x射线成像,和横断面分析发现了裂缝在几针和一些焊接材料。裂缝是由于不同的热膨胀率和补救的帮助下形变分析、EBSD成像,和相位地图比较厚和薄的焊点。

这是一个由两部分组成的系列文章的第二篇文章调查焊料连接失败与BGA包。第一部分,在2017年2月出版的EDFA,检查各种开放和短路故障的情况下,讨论了孔隙的形成,并解释如何揭示重要线索通过研磨BGA封装。第二部分继续分析孔隙和集中在故障由于电路板故障。在这种情况下,董事会是地面远离背后,停止的第一内部铜层。对齐的两个最主要的铜层,microvias的完整性和其他潜在的问题然后检查使用偏振光容易通过剩下的树脂和纤维。正如这篇文章中的例子所显示的,这种方法可以揭示广泛的制造缺陷多氯联苯。

本文分析的两篇系列文章中的第一焊料BGA包和PCB组件之间的连接失败。我检查失败归因于一部分氧气入侵在回流过程中,钻蚀阻焊,焊膏印刷问题。在后一种情况下,x光检查并没有发现异常球大小的变化。找到根源,BGA的语料库是逐渐地消失,只留下球和PCB表面的一览无遗。支持的过程的描述,详细的图片,包括在本文中。在第二部分,定于2017年5月出版的EDFA,作者深入到空洞的分析并提出了另一种FA方法,包括磨掉大部分的PCB。

这篇文章解释了高压电容器的失败导致一个不同寻常的发现缺陷。测试表明,该电容器短路由于银迁移,调查人员认为是通过孔隙介质中呈现的时间生产。通过某种组合的时间、电势、困湿度,和工作温度升高,迁移到孔隙板材料,创建一个短的路径,导致失败。使用声学图像作为一个指南,失败的电容器是横截面,允许调查人员检查空隙更紧密,从而证实他们的理论。

压力排泄再度成为关注先进的金属系统减少维度和多层的设计。除非分析师熟悉的物理和历史压力在ICs空洞,很可能他们会注意。本文讨论了应力裂纹的根本原因和给他们的线索。

电子部件和总成受到温度变化在生命的每个阶段,导致内部压力的累积。这篇文章解释了这样的压力导致失败和介绍了一种测量技术,允许用户可视化应力分布和评估其对寿命和可靠性的影响。应用实例说明的能力也提出了新的地形和形变测量方法。

布局敏感性,一定程度的脆弱性产生损失,一般需要几天现代VLSI设计计算。在这篇文章中,作者提出并展示一个新的随机模型,可以大大加快这一过程。模型是基于简单集成电路布局参数包括线宽、线间距、密度和通道。作者解释如何派生模型如何与实际数据。他们还讨论开放和短的缺陷的原因和影响并定义关键领域的概念和布局的敏感度。

参数失败一般有两种类型。一种类型是由于缺陷影响电路参数。另一种类型,它发生在没有缺陷部分,是interdie参数统计变异的结果。IC失败可能是由于变化在任意数量的参数包括L eff W滚开,我Dsat, V t,接触电阻,有效栅氧化层厚度、源和漏抗,互连薄层电阻,和intrametal间距影响相声,地面反弹噪声和红外电压下降。这些失败往往影响集成电路的最大工作频率和很少被简单的停留在故障,延迟的错,功能,或者我DDQ测试。本文讨论的起源、分类和检测范围广泛的参数失败。

电阻之间的联系,一种软故障,极难找到使用现有的背后方法,和倒装芯片包,选择正面的方法很少或根本没有帮助。为了应对这一挑战,一个工程师团队开发了一种新方法,利用电阻加热的影响直接定位缺陷通过,联系人,和导体的死亡。在这篇文章中,他们讨论他们的新方法的基本原理并展示它的使用在两个电路的各种电阻连接失败被发现。

CMOS集成电路失效机制一般有三种类型:桥梁缺陷,开路缺陷,和参数相关的失败。本文总结了桥梁和开路缺陷属性和为进一步自学提供了参考。桥梁缺陷特征基于位置,其意义的逻辑门和晶体管,和直流逻辑和时序故障的关键阻力。开放的缺陷更为复杂和多样化,每个地区有6个可能的失效模式是本文中所描述的。

微微秒成像电路分析(异食癖)是一种先进的诊断技术,测量设备切换活动CMOS集成电路通过背后的死亡。由于其相对较大的视野,它可以快速地找到缺陷大量的候选人之一。在这个案例研究中,作者解释如何使用异食癖来识别一个特定的I / O电路缺陷在IBM System / 390 G5微处理器。他们也解释了如何通过电路模拟验证了诊断结果。

单位级可追溯性(过错)是一个强大的工具,它允许完成死历史访问过程中测试和分析。是特别有用的识别可能导致微处理器的情况下失败和故障分析的资源是有限的。在这篇文章中,作者解释了他是如何使用相应的调查0.25 -µm CMOS处理器。使用相应的死,他发现了一个失败签名基于模位置在晶片上。一个失败的根源追溯到跨域变化在光刻过程中由于边际集中控制。另一个失败,观察老化后,被追踪到的存在残余钛金属腐蚀后离开。

本案例描述遇到的困难和挑战失败分析人士在他们几乎长达一年的调查在介电薄膜开裂的原因。尽管趋势微电子使用更加昂贵和复杂的设备,进行了这次调查只使用扫描电镜和光学显微镜观察加上持续的侦探工作,最终发现了。