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样品制备
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期刊文章

建立连接:原位TEM偏置的挑战与机遇

威廉·a·哈伯德
EDFA技术条款(2023) 25(1): 4-8。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2023-1.p004
发表:2023年2月1日
摘要
本文讨论了阻碍从电子元件中生产带有偏差的TEM样品的样品制备挑战，以及缓解这些问题的策略。
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期刊文章

高度翘曲模具减薄和抛光到几乎一致厚度的工艺:第二部分

柯克·马丁
EDFA技术条款(2023) 25(1): 16-19。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2023-1.p016
发表:2023年2月1日
摘要
描述了将感兴趣的区域局部细化到所需剩余硅厚度的过程和考虑因素。
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期刊文章

改变一个行业:一个发明家的FIB原位提升的故事

谢丽尔Hartfield
EDFA技术条款(2023) 25(1): 20-27。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2023-1.p020
发表:2023年2月1日
摘要
本文讲述了主流Omniprobe FIB提振解决方案是如何被发明并推向市场的。
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期刊文章

高度翘曲模具减薄和抛光到几乎一致厚度的工艺:第一部分

柯克·马丁
EDFA技术条款(2022) 24(4): 34-38。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2022-4.p034
发表:2022年11月1日
摘要
本文是多部分系列文章的第一部分，介绍了如何通过使用多点厚度测量来校正机械表面轮廓，从而精细地控制剩余硅厚度(RST)。它解释了为什么多点厚度测量是必要的，并讨论了硅厚度测量的现实。经过仔细的加工、清洗和RST测量，样品可以可靠地加工到50 μm厚度，大部分模具的厚度变化为+/- 2.5 μm。
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期刊文章

用扫描电容显微镜对先进节点FinFET器件掺杂剖析的新样品制备方法的战略回顾

“Adhikari，菲尔Kaszuba，盖坦字马修，Daminda Dahanayaka
EDFA技术条款(2022) 24(2): 18-23。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2022-2.p018
发表:2022年5月1日
摘要
样品制备是FinFET器件掺杂分析的关键步骤，特别是针对单个鳍片时。本文描述了一种基于低能量、浅角度离子铣削的样品制备技术，并展示了它如何最大限度地减少表面非晶化并改善代表局部活性掺杂剂浓度的扫描电容显微镜(SCM)信号。
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期刊文章

在2.5D模压中间层封装上实现故障隔离的方法

道格拉斯·亨特，丹尼尔·贝德，帕斯卡蒸馏器，海科巴斯
EDFA技术条款(2021) 23(4): 14-17。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021-4.p014
发表:2021年11月1日
摘要
本文讨论了与大型过模2.5D封装相关的失效分析挑战，并解释了激光解封装后微波诱导等离子体(MIP)点蚀如何在保持其他一切完好的同时去除过模。它还描述了一种缺陷隔离程序，其中样品在大室环境SEM中分析，其球栅阵列直接连接到EBAC放大器。
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期刊文章

45nm节点串行外设接口模块去层制备流程示例

亚许帕特尔，约书亚·鲍尔，乔纳森肖勒，亚当·r·怀特，亚当木村.．.
EDFA技术条款(2021) 23(4): 4 - 13。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021-4.p004
发表:2021年11月1日
摘要
基于sem的特征提取工具用于设计验证和失效分析的进一步发展取决于可靠的样品制备方法。本文介绍了如何适应130nm技术的去层框架，并将其应用于45 nm SPI模块，该模块由11层金属层、10层通孔层、两层多晶硅和一个有源硅层组成。它解释了如何使用不同的抛光和蚀刻方法来暴露每一层，并为SEM成像和随后的特征提取提供足够的对比度。通过组合代表每一层的多边形集合，重建了设备的完整设计，如图所示。
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期刊文章

掌握FA技术:使用墨水进行高纵横比蚀刻腔的无伪截面

特拉维斯米切尔，布莱恩Popielarski，油炸鲍曼
EDFA技术条款(2021) 23(2): 38-39。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021-2.p038
发表:2021年5月1日
摘要
这主要FA技术专栏描述了一个简单而廉价的解决方案，从具有大纵横比通孔的蚀刻晶圆制备TEM横截面样品。
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期刊文章

IC封装对光攻击的安全评估

Chengjieξ，阿斯拉姆·汗，Tanjidur Rahman先生，Navid Asadizanjani
EDFA技术条款(2021) 23(2): 4-12。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021-2.p004
发表:2021年5月1日
摘要
倒装芯片封装芯片的反转方向使其容易受到来自背面的光学攻击。本文讨论了该漏洞的性质，评估了光学检测工具和技术所构成的威胁，并提供了有效对策的见解。
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期刊文章

应用故障分析工具和技术对集成电路的信任和保证

亚当·g·木村，亚当·r·怀特，乔纳森肖勒，Glen D. Via
EDFA技术条款(2021) 23(1): 12-18。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021-1.p012
发表:2021年2月1日
摘要
传统的制造后测试可以可靠地验证IC是否工作正常，但它无法区分真假芯片或识别恶意更改的设计。本文介绍了基于FA工具和技术的IC分解工作流，该工作流为零信任环境中的组件提供了可量化的保证级别。
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期刊文章

使用大气氧气等离子体对高级封装进行解封装，实现真正的根本原因故障分析

Lea Heusinger-Jonda，嘉唐，Kees Beenakker
EDFA技术条款(2021) 23(1): 4-10。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2021-1.p004
发表:2021年2月1日
摘要
在过去的几年中，已经进行了几个失效分析案例研究，说明了通过无工件解封装来保存根本原因证据的重要性。本文介绍了其中三项研究的结果。在一种情况下，失败的根本原因是氯污染。在另一种情况下，这是腐蚀和金属迁移的结合。第三个案例涉及EOS故障，其证据隐藏在碳化的模具化合物层下。除了案例研究，本文还包括比较不同解封装方法结果的图像。
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期刊文章

SRAM物理故障分析在14纳米以上技术节点中的挑战

Noor Jehan Saujauddin，凯文·戴维森，陈佩英
EDFA技术条款(2020) 22(3): 4-7。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020-3.p004
发表:2020年8月1日
摘要
3个涉及14纳米SRAM技术的案例研究表明，通过逐级FIB横断面和自上而下的分析，可以补充纳米探测和TEM断层扫描，以确定故障的根本原因。在第一种情况下，内存故障被追踪到一个异常的门配置文件。在第二种情况下，故障归因于金属线短，在第三种情况下，栅缺陷。
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期刊文章

创新的Puck设计，用于失效分析中半导体封装样品的机械截面和后续分析

Fauzia Khatkhatay，Pradip Sairam Pichumani
EDFA技术条款(2020) 22(2): 4-12。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020-2.p004
发表:2020年5月1日
摘要
倒装芯片封装器件的失效原因通常是在芯片与封装之间的接口上。暴露感兴趣的部位通常需要某种形式的机械横截面的样品嵌入环氧树脂冰球。本文指出了当前方法的一些缺陷，并以重新设计puck的形式提出了一种解决方案。测试结果表明，新型冰球显著缩短了抛光时间，当浇铸导电环氧树脂时，最大限度地减少了SEM分析过程中的充电伪影和图像失真。它还便于后续分析的样品移除。
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期刊文章

利用微型数控机床进行截面机械铣削和抛光的失效分析

Pradip Sairam Pichumani，Fauzia Khatkhatay
EDFA技术条款(2020) 22(1): 14-19。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2020-1.p014
发表:2020年2月1日
摘要
在这篇文章中，作者评估了微数控铣削作为手动平行研磨的倒装芯片包装样品的机械截面的替代方案。他们描述了这两个过程，以及它们如何与其他横截面技术进行比较，并清楚地说明了差异。手工抛光样品的扫描电镜图像显示，在模具- c4界面上，工艺引起的裂纹、碎屑和分层。相比之下，cnc加工的样品没有工件，C4凸起沿截面的整个长度均匀暴露。
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期刊文章

14 nm和其他finfet TEM样品的集中氩离子铣削fib后清洗

塞西尔索，迈克尔Campin，凯文McIlwrath，保罗Fischione
EDFA技术条款(2019) 21(4): 4 - 12。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019-4.p004
发表:2019年11月1日
摘要
使用Ga FIB制备的TEM样品容易受到伪影的影响，例如表面非晶化和离子注入层，这在先进的技术节点中可能会出现问题，特别是对于finfet。然而，正如这篇文章所示，通过集中氩离子铣削的fib后清洗为FinFET器件提供了一个快速有效的样品制备过程，其厚度控制在20 nm以下。虽然本文给出的结果是基于14纳米节点FinFET，但该方法也适用于目前正在生产的10和7纳米FinFET技术。
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期刊文章

集成电路大面积自动脱模:现状与未来

E.I.普林西比，Z.E.罗素，钢桁架DiDona，m . Therezien，B.W. Kempshall.．.
EDFA技术条款(2019) 21(3): 8-14。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019-3.p008
发表:2019年8月1日
摘要
本文讨论了大面积集成电路脱模的现状，自动化脱模设备发展的最新成就，以及气体辅助蚀刻、离子源替代品、紧凑光谱和高速激光等技术进步的潜在影响。
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期刊文章

Xe等离子体vs.镓FIB去层

Sharang Sharang，保罗Anzalone，Jozef Vincenc Obona
EDFA技术条款(2019) 21(3): 4-6。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2019-3.p004
发表:2019年8月1日
摘要
液态金属离子和等离子束FIB系统在半导体工业中广泛应用于TEM片层制备、电路编辑和横截面分析。本文比较了Ga FIB和Xe等离子体FIB的去处理能力。这两个系统都被用来延迟英特尔14纳米处理器从M8到晶体管接触。如图所示，Xe等离子体FIB打开了一个100 × 100µm窗口，Ga FIB打开了一个20 × 20µm窗口。讨论了加工时间、端点检测、表面粗糙度等相关问题。
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期刊文章

敏感IC酸解封装过程中铜导线的定位

迈克尔Obein
EDFA技术条款(2018) 20(4): 30-36。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2018-4.p030
发表:2018年11月1日
摘要
铜线在酸解封装过程中容易损坏，必须在适当的时候停止该过程以保护铜线。本文描述了一种使用偏振电流测量进行蚀刻结束检测和后续冲洗的方法的发展和评估。
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期刊文章

原位提升应用和技术的最新创新

Lucille A. Giannuzzi
EDFA技术条款(2018) 20(2): 26-32。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2018-2.p026
发表:2018年5月1日
摘要
原位提升(EXLO)技术依靠范德华力，利用玻璃探针微操作器将FIB研磨后的试样转移到各种类型的载体上。本文介绍了一些最新的EXLO技术，用于特定位置的扫描透射电子显微镜，包括使用开槽半网格和真空辅助提升平面视图分析。
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期刊文章

集成电路的等离子体FIB后处理

E.L.普林西比，Navid Asadizanjani，Domenic的强项，马克Tehranipoor，罗伯特•芝华士.．.
EDFA技术条款(2017) 19(4): 36-44。
DOI: https://doi.org/10.31399/asm.edfa.2017-4.p036
发表:2017年11月1日
摘要
在故障隔离信息有限的FA情况下，ic的退化处理通常是缺陷验证的最后一步。本文介绍了一个使用自动减薄和大面积等离子体FIB去层从背后去处理ic的工作流程。这种方法的优点包括减少手工平面化和拆包，以及更高程度的精度和可重复性。
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