微波阻抗扫描显微镜是一种近距离技术使用微波探测材料的电性质与纳米横向分辨率。

这是故事的主流Omniprobe提升式解决方案(FIB发明并交付给市场。

本文讨论了样品制备的挑战,阻碍进步生产bias-enabled TEM样品从电子元件,以及策略来减轻这些问题。

本文给出了标定方法和评估,大大提高了光谱信息,可以从光子发射信号中提取获得半导体设备。分步指导给出校准光子发射显微镜等特定的测量设备参数和材料的带隙。本文还讨论了类型的校准过程中可能发生的错误。虽然过程提出了用于InGaAs传感器,它适用于所有常见的光子发射探测器。

本文演示了原子力显微镜的价值,特别是不同的电模式,描述复杂的微电子结构。它展示了实验结果从深沟隔离(DTI)结构使用SCM和SSRM分析强调AFM的电压。从这些测量,提出了一种故障分析工作流程,促进AFM电压优化的结构横截面样本,进行比较,确定故障的根本原因。

本文概述商业3 d x射线系统,解释它如何获得高分辨率图像的亚微米缺陷大的完整的样品。提出了系统的例子是用来揭示裂缝在再分配的薄层,在有机基质孔隙,TSV金属化在300毫米晶圆的变化。如作者解释,每个扫描可以在几分钟内完成不管样本量,以及由此产生的图像是清晰的射束硬化的工件常常导致失效分析问题和逆向工程。

样品制备是掺杂剂的关键一步FinFET设备的分析,特别是针对个体的鳍。本文描述了一种样品制备技术基于低能,过一定离子铣和显示它最小化表面无定形化,提高了扫描电容显微术(SCM)信号代表当地活跃的掺杂剂浓度。

本文讨论的挑战与nanoprobing先进技术节点设备和解释了如何优化梁电压的扫描电镜图像100 eV或更少。

本文讨论了相关的权衡与减少梁剂量扫描透射电子显微镜(STEM)并解释如何减少梁接触通过二次抽样和修补,一个信号重建技术,优化图像质量和分辨率。尽管干细胞成像的背景下描述的方法,它适用于任何扫描成像系统。

本文描述了扫描的基本物理测量氮空位(NV)显微镜和各种方式可以用于半导体器件失效分析。扫描NV显微镜可以测量地形以及磁场,局部电流密度、交流噪声,和当地的温度变化。

扫描非线性电介质显微镜(SNDM)是扫描探针技术测量探针尖端之间的振荡频率的变化和voltage-biased样本。随着探测器在半导体器件表面,振荡频率的变化对介电性能的变化,电荷和载体密度、掺杂剂浓度、界面状态,或任何其他变量影响当地的电容。在过去的几年中,日本东北大学的研究人员在电介质显微镜多次改进,最新的数字版本被称为时间分辨SNDM (tr-SNDM)。他们描述他们的新技术和现在的应用程序中使用它获得的简历,d C / d V-V, dlt SiO 2 / SiC接口数据样本。

STEM-in-SEM本文提供了一个简单的概述,讨论利弊,最近探测器技术的进步,和4 d STEM-in-SEM的出现,一个相对较新的方法,使用在不同的光栅衍射模式记录位置来增强图像离线选择感兴趣的区域。

本文介绍了一种新颖的方法提高图像分辨率使用时间分辨光子发射的技术实现。而不是直接从光子计数生成图像,探测到的光子都显示为一个点云三维空间和一个新的更高分辨率的图像生成基于概率密度函数与光子分布有关。无监督学习算法确定光子分布模式以及微弱的发射源。

这个主人FA技术专栏描述了一个简单且廉价的解决方案的问题准备TEM横断面样本通过蚀刻片大长宽比。

x射线ptychography,最近的研究显示,有可能桥之间存在的差距,目前传统的x射线成像和电子显微镜。本文涵盖了从基本的二维成像技术的发展,计算机断层扫描3 d ptychographic x射线辐射分层照相术(PyXL)和缩放。演示的功能PyXL, 16 nm FinFET逻辑IC机械抛光的厚度20µm和几个地区各级成像分辨率。

长期稳定性研究表明,阴极退化是失败的一个主要机制anode-supported固体氧化物燃料电池。为了更好地理解阴极的微观结构退化机制和氧分压的影响相关的操作温度,本文的作者获得了TEM技术样本细胞研究阳离子相互扩散机制和LSM-YSZ交互,特别是在地区LSM谷物与YSZ电解质接触。他们现在和解释结果。

本文解释如何找到空组件在PCB组件使用infrared-based直流注入,无损方法有几个优点磁力显微镜和压降测量技术。应用程序还提供了示例涉及电源板故障。

辨别的能力使样品中原子的组成和布置TEM最强大的特性之一微电子组件的工具。然而,对于许多设备,动力基本正常运行不取代原子。设备功能,相反,由电子和热过程对物理结构几乎没有影响,需要额外的工具来确定失败的原因。在本文中,作者提出了结果表明干EBIC,与新SEEBIC模式,可以提供电子相比,补充了physical-based干细胞成像的对比。通过识别设备功能失败的风险,这两种方法可能会打开一个路径预测失效分析。

本文讨论的基本原则SEM-based阴极发光(CL)光谱和展示了其在发展过程的有效性,统计过程控制和故障分析。技术在CL光谱是最明显的好处是化合物半导体光电子学和高电子迁移率晶体管作为反映在应用程序的例子。

本文综述扫描声学显微镜(SAM)的基本原则并提出了几个在失效分析案例研究演示其用法和伪造检测。英足总案例研究展示萨姆是用来检测分层,开裂,和制造缺陷在瓷片电容和电阻,空洞在全桥整流,在微处理器和辐射诱导的缺陷。在假冒ICs的案件,CSAM图像显示异常的存在对组件包,重新确认的证据,和爆米花骨折象征的使用过度的热量和武力驱逐组件从电路板组件。