本文介绍了一种新颖的方法提高图像分辨率使用时间分辨光子发射的技术实现。而不是直接从光子计数生成图像,探测到的光子都显示为一个点云三维空间和一个新的更高分辨率的图像生成基于概率密度函数与光子分布有关。无监督学习算法确定光子分布模式以及微弱的发射源。

本文提供了一个高级评论背后所使用的工具和技术分析。论述了使用激光扫描和传统的显微镜,液体和固体浸没透镜,光子发射显微镜(PEM)和激光故障隔离方法强调光致电压改变(LIVA)。它解释了激光探测电压用于背后波形采集和描述背后样品制备和deprocessing技术包括并行抛光和铣削、激光化学腐蚀,和FIB电路编辑和修改。

光子发射显微镜(PEM)已被证明是一个强大的工具为故障隔离和很好地适应了不断变化的技术和新兴的需求。在本教程中,作者描述光子发射的基本原理,典型的PEM系统的基本要素、程序参与各种类型的故障诊断。他们也广泛的光子释放缺陷进行分类并解释如何使用PEM背后倒装芯片封装设备的分析和诊断时间。

本文讨论的一些早期使用发射显微镜在半导体器件失效分析和克服的挑战,使其无价的工具。在早期的一个障碍是一种误解,硅不能发光的时候,事实上,它有几个发光机制,在电子显微镜已经证明有用。这样的一个机制,雪崩发光,发生在连接在反向击穿和有助于解决低击穿电压和静电保护电路的问题。其他发光机制讨论的文章包括正向偏压发射、MOS晶体管饱和,氧化介质发光,用于检查测试结构和检测氧化缺陷。

IDDQ测试通常是依赖政府隔离缺陷密集ICs的关键。然而,在这里给出的案例研究,ICs功能失败不失败的静态IDDQ测试时他们也没有画重要的当前偏向静态实验室的长凳上。经过广泛的测试和分析,其中包括吃IDDQ扫描,ATE-interfaced发射显微镜、FIB辅助机械探针,并扫描电容显微术,缺陷被发现的p型counterdoping n-active地区污染引起的溶剂罐期间使用晶圆。

这是一个illumination-sensitive失败的案例研究。由于扫描光学显微镜的不可用,使用不同的方法进行故障隔离根据可用的设备。通过发射显微镜的结合、FIB隔离机械探测,和深入的电路分析,问题的根源并确定失效机理。