本文讨论了与纳米探测先进技术节点器件相关的挑战，并解释了如何优化100 eV或更低的束流电压的SEM图像。

基于FIB蚀刻和SEM图像捕获对平板电脑内部的一个倒装芯片焊点进行了详细的分析。从扫描电镜图像重建的3D视图显示，似乎是一个铜柱，焊锡帽连接到基片上的铜痕迹。研究人员认为，接头是通过热压缩与预先应用的底填料结合而形成的。分析还显示了空洞和金属间化合物的存在，以及填充物夹闭的迹象。

第六届FIB-SEM研讨会于2013年3月1日在马萨诸塞州剑桥举行。这篇文章提供了这次活动的摘要以及18篇论文报告的亮点。

对于III-V型化合物半导体和某些互连金属来说，FIB铣削是困难的(如果不是不可能的话)，因为这些材料与大多数FIB系统中使用的镓反应不好。本文讨论了该问题的性质，并解释了低温FIB-SEM技术如何提供解决方案。它描述了FIB-SEM系统的基本设置，并提供了其在InN纳米晶体、GaN薄膜和含铜多层光伏材料上的应用实例。

超低k介质的引入是ic中追求更高时钟速度和更低功耗的一个里程碑。然而，一个折衷是，使用低k材料而不是二氧化硅分层的互连堆栈更容易受到机械损坏。本文提出了一种方法，可以在晶圆水平上评估互连堆栈的机械完整性。新的凸点辅助BEOL稳定性压痕(BABSI)测试使用纳米压痕工具对晶圆表面的焊锡凸点和铜柱施加横向和垂直力。通过施加适当的应力，完整性的各个方面，如破坏模式的开始或堆栈中最弱的界面，可以通过后续的SEM/FIB分析确定。作者描述了测量技术的基本原理和它的一些应用。

封装集成的复杂性不断增加，促使更多的样品进入FA实验室进行开发支持和分析。对于许多作业，还需要更大的移除量，增加了对工具时间和吞吐量的需求。聚焦离子束(FIB)和双束FIB/SEM系统有助于缓解压力，因为它们能够创建特定地点的截面，并促进门级电路的重新布线和调试。本文回顾了封装趋势对失效分析的影响，以及FIB技术的最新改进。本文还举例说明了这些新的FIB技术如何应用于解决新出现的包装挑战。

微劈裂和精密宽离子束技术的结合使失效分析人员能够制备0.5 μm精度的特定位置的SEM分析样品。正如文章所解释的那样，微劈裂利用了单晶半导体基板固有的劈裂特性。由于衬底的质量明显大于工艺层，它决定了样品的总体横截面质量和精度。该切割不损失材料，保持指定区域的完整性，并能够分析横截面的两侧。当切割因被埋目标而偏离，或当碎片位于横截面表面时，使用离子束蚀刻和涂层来微调切割位置，并在SEM分析之前去除碎片。

评价微机电系统(MEMS)的实验测试了它们的功能和材料特性。这些实验提供了MEMS失效模式和潜在途径的知识和见解，以提高MEMS器件的寿命。本文演示了使用光学显微镜和扫描电镜分析来确定MEMS器件中的各种故障原因。

本案例研究描述了失效分析人员在近一年的电介质膜开裂原因调查中遇到的困难和挑战。尽管微电子领域的趋势是使用越来越昂贵和复杂的设备，但这项调查只使用了扫描电镜和光学显微镜观察，加上持续的侦探工作，最终发现了原因。