本文讨论了阻碍从电子元件中生产带有偏差的TEM样品的样品制备挑战，以及缓解这些问题的策略。

本文讲述了主流Omniprobe FIB提振解决方案是如何被发明并推向市场的。

本文讨论了在扫描透射电子显微镜(STEM)中最小化光束剂量相关的权衡，并解释了如何通过次采样和修补来减少光束曝光，这是一种优化图像质量和分辨率的信号重建技术。虽然该方法是在STEM成像的背景下描述的，但它适用于任何扫描成像系统。

本文简要介绍了STEM-in-SEM，讨论了优点和缺点，探测器技术的最新进展，以及4D STEM-in-SEM的出现，4D STEM-in-SEM是一种相对较新的方法，使用在不同光栅位置记录的衍射图案来增强选定感兴趣区域的离线图像。

这主要FA技术专栏描述了一个简单而廉价的解决方案，从具有大纵横比通孔的蚀刻晶圆制备TEM横截面样品。

长期稳定性研究表明，阴极降解是阳极支撑sofc的主要失效机制之一。为了更好地了解阴极的微观结构降解机制以及氧分压在相关操作温度下的影响，本文作者采集了工艺电池的TEM样品，研究了LSM颗粒与YSZ电解质接触区域的阳离子互扩散机制和LSM-YSZ相互作用。在这里，他们展示并解释结果。

分辨样品中原子的组成和位置的能力使TEM成为微电子元件最强大的表征工具之一。然而，对于许多装置来说，正常运作下的动力学并不会使原子发生位移。相反，器件功能是由对物理结构几乎没有影响的电子和热过程调节的，因此需要额外的工具来确定故障的原因。在本文中，作者提出的结果表明，采用新的SEEBIC模式的STEM EBIC可以提供电子对比，补充基于物理对比的STEM成像。通过识别故障风险较高的设备特征，这两种方法可能为预测故障分析开辟一条道路。

3个涉及14纳米SRAM技术的案例研究表明，通过逐级FIB横断面和自上而下的分析，可以补充纳米探测和TEM断层扫描，以确定故障的根本原因。在第一种情况下，内存故障被追踪到一个异常的门配置文件。在第二种情况下，故障归因于金属线短，在第三种情况下，栅缺陷。

这篇文章描述了一本名为STEM-in-SEM的电子书:微电子故障分析扫描透射电子显微镜入门，旨在为那些很少或没有透射成像经验的人提供入门教程，并作为SEM用户寻求扩展其设备的成像和衍射能力的想法来源。

使用Ga FIB制备的TEM样品容易受到伪影的影响，例如表面非晶化和离子注入层，这在先进的技术节点中可能会出现问题，特别是对于finfet。然而，正如这篇文章所示，通过集中氩离子铣削的fib后清洗为FinFET器件提供了一个快速有效的样品制备过程，其厚度控制在20 nm以下。虽然本文给出的结果是基于14纳米节点FinFET，但该方法也适用于目前正在生产的10和7纳米FinFET技术。

在过去的二十年中，透射电子显微镜以各种方式得到了改进，产生了新的表征技术。本文讨论的创新包括场发射枪的引入，CCD相机和x射线探测器的结合，以及镜头校正系统的使用。这些改进通过新TEM技术的出现对失效分析产生了重大影响，包括用于晶粒和应变分析的进动电子衍射，用于超低k材料低剂量EELS映射的降噪处理，以及用于纳米尺度缺陷元素3D成像的EDX断层扫描。

原位提升(EXLO)技术依靠范德华力，利用玻璃探针微操作器将FIB研磨后的试样转移到各种类型的载体上。本文介绍了一些最新的EXLO技术，用于特定位置的扫描透射电子显微镜，包括使用开槽半网格和真空辅助提升平面视图分析。

利用透射电子显微镜(TEM)和扫描透射电子显微镜(STEM)在自动图像采集和计量方面的最新发展显著提高了这些技术控制先进半导体器件制造过程的速度、精度和可用性。随着器件尺寸的不断缩小，可能需要这些技术来取代扫描电子显微镜(SEM)来进行最小临界尺寸(CD)测量。本文介绍了在高通量cd -计量工作流程中自动化S/TEM的使用，以支持流程开发和控制，并解释了自动化样品制备、数据采集和计量工具如何提高吞吐量和数据质量。

离轴电子全息术是一种基于tem的成像技术，可以揭示半导体器件中的掺杂异常和结型。本文解释了该方法是如何工作的，以及它是如何被用于可视化晶体管源漏区，扩散相关缺陷，以及TEM样品中其他感兴趣的特征。它还讨论了相关的挑战，并比较离轴电子全息术与其他分析技术，特别是结染。

本文讨论了基于fib的原位举升的实践，这是一种已被证明对失效分析特别有用的样品制备方法。它解释了现在如何为广泛的TEM技术制作样品，包括全息照相、断层扫描、高角度环形暗场扫描和电子能量损失能谱。在大多数情况下，获得最佳质量需要使用交替的FIB铣削角度，如平面铣削、侧面铣削和背面铣削，所有这些都将被讨论。

故障分析中的捷径有时是为了节省时间或金钱，或者是因为无法获得设备或专业知识。本文在四个方面提出了简单而有效的解决方案，包括预处理、FIB铣削、微裂解和TEM样品制备，可以帮助分析人员解决或解决这种情况。

能量过滤透射电子显微镜(EFTEM)是一种利用非弹性散射电子和能量过滤器产生高质量图像和元素地图的成像技术。本文回顾了EFTEM的测量物理，将其与其他成像和化学分析技术进行了比较和对比，并给出了几个应用实例来演示其在半导体器件故障分析中的应用。

定位单一故障中的缺陷可能需要几天、几周甚至几个月的时间，然后进行详细的物理分析以确定根本原因。TEM和STEM在这一过程中发挥互补作用;TEM是因为其优越的空间分辨率，STEM是因为它产生的图像更容易解释，而且不太容易受到较厚样品中可能出现的色差的影响。在过去，由于在成像模式之间切换所需的时间，STEM在FA中的使用受到了限制，但随着带有计算机控制镜头的TEM/STEM显微镜的出现，STEM的使用正在增加。本文概述了STEM技术，并给出了示例，展示了它如何用于描述集成电路中微妙和复杂的缺陷。

他开发了一种新的改进的样品制备技术。该技术利用FIB仪器利用静力使试样的一小部分在原网格上旋转90°。所有样品制备步骤，包括薄片创建和样品倾斜，都可以在一个过程中完成。该过程在高分辨率FIB仪器中进行监控，以确保100%的成功率。图1显示了带有两个旋转切片的三维TEM样品的扫描电子显微镜图像。原始透射电镜样品是在碳膜上的抬升样品。

透射电子显微镜(TEM)在半导体工艺开发、缺陷识别、良率提高和根本原因失效分析中发挥着重要作用。然而，与此同时，样品制备和成像的某些伪影对TEM技术的线性缩放构成了障碍。这篇文章评估了这些挑战，并解释了如何使用电子断层扫描来克服这些挑战。