同时修改托尔伯特x射线干涉测量提供了三个对比模式:吸收阶段,和暗场/散射。本文描述了强大的新成像技术并展示如何使用它来描述各种类型的缺陷在先进半导体包。

光学二次谐波产生(宋惠乔)是一种非侵入性技术,提供信息界面性质和晶体缺陷。本文演示了使用功能减退的研究high-k电介质,绝缘体结构,化合物半导体,在矽通过。

波士顿大学的研究人员已经取得重大进步的决议和背后成像技术可以实现。在这篇文章中,他们解释他们如何优化横向和纵向分辨率的想法使用消球差的固体浸没透镜的方法结合自适应光学校正畸变,干涉法提高信噪比,克服衍射限制涡旋光束,基于先验知识的图像重建技术对对象进行调查。

high-repetition-rate最近的示威活动,高亮度软x射线激光打开新的可能性的发展紧凑成像系统空间分辨率接近照明波长。本文讨论的一些配置,用于这些极端紫外线(EUV)成像系统和他们的一般功能。讨论的一个系统使用的输出46.9 nm氩激光传输和reflection-mode呈现图像的空间分辨率120到150纳米。另一个使用13海里AgCd与菲涅耳波带板激光光学、产生透射型图像的空间分辨率38海里。

这是一个由两部分组成的系列文章的第二篇文章在深紫外(DUV)显微镜。第一部分,发表在2000年2月EDFA的问题,讨论了该方法的工作原理和功能以及它适合的类型的应用程序。在这个问题中,作者描述了DUV显微镜的基本设计,主要组件的作用,及其对成像质量的影响。

实验评估微机电系统(MEMS)测试其功能和材料属性。这些实验提供知识和洞察MEMS失效模式和潜在的途径来提高MEMS器件的寿命。本文演示了使用光学显微镜和SEM分析来确定在MEMS设备故障的各种原因。

本文概述深紫外线显微镜(DUV),导致其发展的因素,和类型的应用程序,适合半导体器件制造,测试和检验。它还包括几个图片展示功能相对于可见光显微镜。