样品制备是FinFET器件掺杂分析的关键步骤，特别是针对单个鳍片时。本文描述了一种基于低能量、浅角度离子铣削的样品制备技术，并展示了它如何最大限度地减少表面非晶化并改善代表局部活性掺杂剂浓度的扫描电容显微镜(SCM)信号。

在这篇文章中，作者评估了微数控铣削作为手动平行研磨的倒装芯片包装样品的机械截面的替代方案。他们描述了这两个过程，以及它们如何与其他横截面技术进行比较，并清楚地说明了差异。手工抛光样品的扫描电镜图像显示，在模具- c4界面上，工艺引起的裂纹、碎屑和分层。相比之下，cnc加工的样品没有工件，C4凸起沿截面的整个长度均匀暴露。

使用Ga FIB制备的TEM样品容易受到伪影的影响，例如表面非晶化和离子注入层，这在先进的技术节点中可能会出现问题，特别是对于finfet。然而，正如这篇文章所示，通过集中氩离子铣削的fib后清洗为FinFET器件提供了一个快速有效的样品制备过程，其厚度控制在20 nm以下。虽然本文给出的结果是基于14纳米节点FinFET，但该方法也适用于目前正在生产的10和7纳米FinFET技术。

本文讨论了大面积集成电路脱模的现状，自动化脱模设备发展的最新成就，以及气体辅助蚀刻、离子源替代品、紧凑光谱和高速激光等技术进步的潜在影响。

在故障隔离信息有限的FA情况下，ic的退化处理通常是缺陷验证的最后一步。本文介绍了一个使用自动减薄和大面积等离子体FIB去层从背后去处理ic的工作流程。这种方法的优点包括减少手工平面化和拆包，以及更高程度的精度和可重复性。

原子力显微镜一直是一个一致的因素，在过去十年的进展在集成电路纳米探测和失效分析。在此期间，IC分析界采用了许多新的原子力测量技术，包括扫描电导、扫描电容、脉冲电流-电压和电容-电压光谱。最近出现了两种新技术:金刚石探针铣削和静电力显微镜(EFM)。正如本文作者所解释的那样，使用原子力显微镜的金刚石探针铣削是一种有前途的原位、局部、精确地去除IC层的新方法，而主动EFM是一种无损的替代EBAC显微镜的IC分析中开口定位的方法。

本文描述了一种通过使用铣床与光谱反射测量系统结合来制备轮廓器件的方法，以满足±5 μm剩余硅厚度(RST)公差。

对于III-V型化合物半导体和某些互连金属来说，FIB铣削是困难的(如果不是不可能的话)，因为这些材料与大多数FIB系统中使用的镓反应不好。本文讨论了该问题的性质，并解释了低温FIB-SEM技术如何提供解决方案。它描述了FIB-SEM系统的基本设置，并提供了其在InN纳米晶体、GaN薄膜和含铜多层光伏材料上的应用实例。

封装集成的复杂性不断增加，促使更多的样品进入FA实验室进行开发支持和分析。对于许多作业，还需要更大的移除量，增加了对工具时间和吞吐量的需求。聚焦离子束(FIB)和双束FIB/SEM系统有助于缓解压力，因为它们能够创建特定地点的截面，并促进门级电路的重新布线和调试。本文回顾了封装趋势对失效分析的影响，以及FIB技术的最新改进。本文还举例说明了这些新的FIB技术如何应用于解决新出现的包装挑战。

薄膜异常会导致许多设备故障，但通常很难看到。在这篇文章中，作者解释了他们是如何在特定批次的大多数ASIC模块中发现并识别了导致引脚短路的8到10纳米钽薄膜的。最初延迟某些失败模块的尝试导致了故障信号的丢失。然后决定使用聚焦离子束选择性地磨穿层间电介质。在铣削过程中，二次电子图像显示了功率晶体管手指之间的异常物质，随后被确定为钽。正如作者解释的那样，当蚀刻过程中材料没有被正确去除时，这种缺陷在大马士革工艺中很常见。